高纯钛
高纯钛（Ti01）主要用于半导体薄膜材料的制备，作为蒸发材料和溅射靶材用于制膜或镀膜，可提供 4N、4N5、5N 等纯度等级。
高纯钛主要用于半导体薄膜材料的制备，作为蒸发材料和溅射靶材用于制膜或镀膜。可提供 4N、4N5、5N 等纯度等级，有立方体和锥台两种形态。
规格参数
| 产品型号 | 形状 | 规格 | 熔点 | 密度 | 热导率 | 执行标准 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Ti01 | 立方体 Cube | 5±0.1 mm（4N/4N5/5N） | 1668℃ | 4.51 g/cm³ | 15.6 W/(m·K) | YS/T 1236-2018 |
| 锥台 Cone frustum | 上底φ48±0.1 / 下底φ52±0.1 / 高 22±0.1 mm |
4N5 纯度主要杂质控制：Ti≥99.9950%，Fe≤0.00150%、Ni≤0.00050%、Cr≤0.00050% 等，杂质总量 ≤0.0050%。
应用领域：半导体薄膜制备、蒸发镀膜、磁控溅射靶材、扩散阻挡层（TiN 前驱体）。
以上为典型规格，可按客户要求定制规格、纯度与包装重量。
